HP8KB6TB1

ROHM Semiconductor
755-HP8KB6TB1
HP8KB6TB1

制造商：

说明：
MOSFET 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

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产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
HSOP-8
N-Channel
2 Channel
40 V
24 A
15.7 mOhms
20 V
2.5 V
22 nC
- 55 C
+ 150 C
21 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: ROHM Semiconductor
配置: Dual
下降时间: 4.5 ns
正向跨导 - 最小值: 6.6 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 7.4 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
晶体管类型: 2 N-Channel
典型关闭延迟时间: 21 ns
典型接通延迟时间: 8.5 ns
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已选择的属性: 0

数据表

Specification Sheets

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合规代码
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

HP8K/HT8K双沟道增强模式MOSFET

ROHM Semiconductor HP8K/HT8K双沟道增强模式MOSFET提供双N沟道或N沟道/P沟道晶体管极性。HP8K和HT8K MOSFET采用小型表面贴装HSMT8和HSOP8背面散热双封装，具有低导通电阻和节能特性。应用包括单相/三相无刷电机驱动器或开关操作。

电动汽车 (EV) 解决方案

ROHM Semiconductor电动汽车 (EV) 解决方案旨在提高先进电动汽车的效率和性能。ROHM提供针对各种解决方案的优化产品，重点是EV专用单元，如主逆变器、DC-DC转换器、车载充电器和电动压缩机。

库存量: 5,000

库存：
5,000 可立即发货
生产周期：
28 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
数量大于5000的订购须受最低订购要求的限制。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥20.0123 ¥20.01
¥9.7632 ¥97.63
¥8.7688 ¥876.88
¥6.9834 ¥3,491.70
¥6.7913 ¥6,791.30
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
¥5.9664 ¥14,916.00

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