HP8KC6TB1

ROHM Semiconductor
755-HP8KC6TB1
HP8KC6TB1

制造商：

说明：
MOSFET 60V 23A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

数据表:
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产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
HSOP-8
N-Channel
2 Channel
60 V
23 A
27 mOhms
20 V
2.5 V
7.6 nC
- 55 C
+ 150 C
21 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: ROHM Semiconductor
配置: Dual
下降时间: 5 ns
正向跨导 - 最小值: 5.1 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 5.7 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
晶体管类型: 2 N-Channel
典型关闭延迟时间: 21 ns
典型接通延迟时间: 8.7 ns
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已选择的属性: 0

数据表

Specification Sheets

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合规代码
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

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库存量: 4,570

库存：
4,570 可立即发货
生产周期：
28 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥20.1027 ¥20.10
¥9.8423 ¥98.42
¥8.7688 ¥876.88
¥6.9947 ¥3,497.35
¥6.78 ¥6,780.00
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
¥6.3054 ¥15,763.50
¥6.2037 ¥31,018.50

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