HP8KE6TB1

Name: ROHM Semiconductor HP8KE6TB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-HP8KE6TB1
Price: 17.86 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

755-HP8KE6TB1

制造商编号：

HP8KE6TB1

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

MOSFET 100V 17A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	HSOP-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	17 A
Rds On-漏源导通电阻:	54 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	6.7 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	21 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	ROHM Semiconductor
配置:	Dual
下降时间:	7.5 ns
正向跨导 - 最小值:	4.9 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	8.5 ns
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	2 N-Channel
典型关闭延迟时间:	20 ns
典型接通延迟时间:	7.5 ns

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Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

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合规代码

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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库存量: 4,860

库存：: 4,860 可立即发货

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生产周期：: 28 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥20.1818	¥20.18
	¥9.9214	¥99.21
	¥8.5202	¥852.02
	¥7.1077	¥3,553.85
	¥6.7122	¥6,712.20
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥6.2715	¥15,678.75
	¥6.0907	¥30,453.50

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

HP8KE6TB1

制造商： ROHM Semiconductor

说明： MOSFET 100V 17A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

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产品与贸易合规

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说明：

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