HP8MB5TB1

Name: ROHM Semiconductor HP8MB5TB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-HP8MB5TB1
Price: 15.45 RMB
Availability: InStock

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请参阅产品规格

Mouser编号：

755-HP8MB5TB1

制造商编号：

HP8MB5TB1

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

MOSFET 40V 16.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MB5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

数据表:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	HSOP-8
晶体管极性:	N-Channel, P-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	16.5 A, 18 A
Rds On-漏源导通电阻:	46 mOhms, 44 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	3.5 nC, 17.2 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	20 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	ROHM Semiconductor
配置:	Dual
下降时间:	2.7 ns, 45 ns
正向跨导 - 最小值:	2.7 S, 3.6 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	4.4 ns, 20 ns
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间:	11 ns, 83 ns
典型接通延迟时间:	5 ns, 9.5 ns

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合规代码

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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库存量: 4,925

库存：: 4,925 可立即发货

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生产周期：: 28 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

数量大于4925的订购须受最低订购要求的限制。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥17.4585	¥17.46
	¥8.4411	¥84.41
	¥7.5371	¥753.71
	¥5.9777	¥2,988.85
	¥5.7178	¥5,717.80
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥5.1415	¥12,853.75
	¥4.9494	¥24,747.00

HP8MB5TB1

制造商： ROHM Semiconductor

说明： MOSFET 40V 16.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MB5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

规格

文件 (3)

数据表

Application Notes

Specification Sheets

环境文件

产品与贸易合规

更多信息

HP8K/HT8K双沟道增强模式MOSFET

电动汽车 (EV) 解决方案

特色产品 ROHM SEMICONDUCTOR

库存量: 4,925

定价 (含13% 增值税)

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制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

MOSFET 40V 16.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MB5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

特色产品

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