IGB10N60T 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech
数据表
970库存量
剪切带
¥20.4304
¥13.0741
¥8.9383
¥7.5823
卷轴
¥6.7122
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MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000
Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 24 A 110 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP IGBT Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech
数据表
4,870库存量
剪切带
¥20.4304
¥13.0741
¥8.9383
¥7.5823
卷轴
¥6.7122
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MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000
Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 24 A 110 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT3 Reel, Cut Tape, MouseReel