IGW50N65H5 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

结果: 3
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
数据表
556库存量
¥35.821
¥23.4136
¥17.4585
¥14.6448
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最低： 1
倍数： 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 305 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 H5 Tube

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PRODUCTS
数据表
521库存量
¥34.9057
¥18.0348
¥14.8934
¥12.7351
最低： 1
倍数： 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 305 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) DISCRETES
数据表
无库存交货期 52 周
¥59.89
¥37.3013
¥28.7811
¥24.3176
最低： 1
倍数： 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.66 V - 20 V, 20 V 80 A 270 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 H5 Tube