IKP10N60T

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Mouser编号：

726-IKP10N60T

制造商编号：

IKP10N60T

制造商：

Infineon Technologies

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) LOW LOSS DuoPack 600V 10A

寿命周期:

停产

数据表:

IKP10N60T 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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交货限制:

Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
交货限制:	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-220-3
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	600 V
集电极—射极饱和电压:	1.5 V
栅极/发射极最大电压:	- 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流:	24 A
Pd-功率耗散:	110 W
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 175 C
系列:	TRENCHSTOP IGBT
封装:	Tube
商标:	Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流:	100 nA
高度:	15.95 mm
长度:	10.36 mm
产品类型:	IGBTs
工厂包装数量:	500
子类别:	Transistors
商标名:	TRENCHSTOP
宽度:	4.57 mm
零件号别名:	SP000683062 IKP1N6TXK IKP10N60TXKSA1
单位重量:	6 g

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数据表

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EOL

Product Discontinuation Notification 2025-9-15 (PDF)

Product Catalogs

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 马来西亚

发货时，国家/地区可能会发生变化。

300V to 1200V IGBTs

Infineon 300-1200V IGBTs have an extensive portfolio of IGBTs that achieves the highest performance for specific application requirements. The Infineon IGBT portfolio includes the new ultra-fast IRG7PH 1200V Trench IGBTs that offer higher system efficiency while cutting switching losses and delivering higher switching frequencies. Infineon IRG7PH ultra-fast 1200V IGBTs utilize thin wafer Field-Stop Trench technology that significantly reduces switching and conduction losses to deliver higher power density and greater efficiency at higher frequencies.