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IKW30N65ES5 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	封装 / 箱体	安装风格	配置	集电极—发射极最大电压 VCEO	集电极—射极饱和电压	栅极/发射极最大电压	在25 C的连续集电极电流	Pd-功率耗散	最小工作温度	最大工作温度	系列	封装
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trenchstop 5 IGBT IKW30N65ES5 Infineon Technologies 1: ¥41.358 960预期 2027/3/4	制造商零件编号 IKW30N65ES5 Mouser 零件编号 726-IKW30N65ES5	Infineon Technologies	绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trenchstop 5 IGBT 了解更多关于Infineon Technologies infineon trenchstop5 s5 igbts 的信息	数据表	960预期 2027/3/4	¥41.358 ¥27.1313 ¥20.2609 ¥16.8709 查看 ¥15.6279 ¥14.803 报价	最低： 1 倍数： 1			Si	TO-247-3	Through Hole	Single	650 V	1.35 V	- 20 V, 20 V	62 A	188 W	- 40 C	+ 175 C	TRENCHSTOP 5 S5	Tube
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) INDUSTRY IKW30N65ES5XKSA1 Infineon Technologies 1: ¥41.1094 1库存量	制造商零件编号 IKW30N65ES5XKSA1 Mouser 零件编号 726-IKW30N65ES5XKSA1	Infineon Technologies	绝缘栅双极晶体管(IGBT) INDUSTRY 了解更多关于Infineon Technologies infineon trenchstop5 s5 igbts 的信息	数据表	1库存量	¥41.1094 ¥22.826 ¥18.7806 ¥15.7183 ¥14.803	最低： 1 倍数： 1			Si	TO-247-3	Through Hole	Single	650 V	1.35 V	- 20 V, 20 V	62 A	188 W	- 40 C	+ 175 C	TRENCHSTOP 5 S5	Tube

IKW30N65ES5 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

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