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IKW50N60DTP 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	封装 / 箱体	安装风格	配置	集电极—发射极最大电压 VCEO	集电极—射极饱和电压	栅极/发射极最大电压	在25 C的连续集电极电流	Pd-功率耗散	最小工作温度	最大工作温度	系列	封装
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) INDUSTRY IKW50N60DTPXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥32.8378 1,200预期 2026/11/12 NRND	制造商零件编号 IKW50N60DTPXKSA1 Mouser 零件编号 726-IKW50N60DTPXKSA1 NRND	Infineon Technologies	绝缘栅双极晶体管(IGBT) INDUSTRY	数据表	1,200预期 2026/11/12	¥32.8378 ¥19.0292 ¥15.5488 ¥12.9837 ¥11.7407	最低： 1 倍数： 1			Si	TO-247-3	Through Hole	Single	600 V	1.6 V	- 20 V, 20 V	80 A	319.2 W	- 40 C	+ 175 C	Trenchstop IGBT3	Tube
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) INDUSTRY Infineon Technologies IKW50N60DTP IKW50N60DTP Infineon Technologies 停产	制造商零件编号 IKW50N60DTP Mouser 零件编号未分配停产	Infineon Technologies	绝缘栅双极晶体管(IGBT) INDUSTRY	数据表	不可用		无库存，请致电询价			Si						- 20 V, 20 V						Tube

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