.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

IMW120R030M1H 碳化硅MOSFET

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

结果: 2

已应用过滤器:

安装风格

封装 / 箱体

通道数量

Vds-漏源极击穿电压

Id-连续漏极电流

Rds On-漏源导通电阻

Vgs - 栅极-源极电压

Vgs th-栅源极阈值电压

Qg-栅极电荷

最小工作温度

最大工作温度

Pd-功率耗散

通道模式

商标名

重置所有

在结果中搜索

库存量

正常库存

在售

新产品

符合RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	安装风格	封装 / 箱体	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名
	碳化硅MOSFET SIC DISCRETE IMW120R030M1H Infineon Technologies NRND	制造商零件编号 IMW120R030M1H Mouser 零件编号未分配 NRND	Infineon Technologies	碳化硅MOSFET SIC DISCRETE	数据表	N/A		无库存，请致电询价
	碳化硅MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥129.3624 370库存量 NRND	制造商零件编号 IMW120R030M1HXKSA1 Mouser 零件编号 726-IMW120R030M1HXKS NRND	Infineon Technologies	碳化硅MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	数据表	370库存量	¥129.3624 ¥87.349 ¥83.2132	最低： 1 倍数： 1			Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	56 A	40 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement	CoolSiC

IMW120R030M1H 碳化硅MOSFET

已应用过滤器:

昴氏(上海)电子贸易有限公司

公司

资源

支持