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IMW120R045M1 碳化硅MOSFET

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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	安装风格	封装 / 箱体	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名
碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE AIMW120R045M1XKSA1 Infineon Technologies 1: ¥181.6475 712库存量 NRND	制造商零件编号 AIMW120R045M1XKSA1 Mouser 零件编号 726-AIMW120R045M1XKS NRND	Infineon Technologies	碳化硅MOSFET SIC_DISCRETE 了解更多关于Infineon Technologies infineon 1200v automotive coolsic modules 的信息	数据表	712库存量	¥181.6475 ¥135.0802	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	52 A	59 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.7 V	57 nC	- 55 C	+ 175 C	228 W	Enhancement	CoolSiC
碳化硅MOSFET SIC DISCRETE IMW120R045M1 Infineon Technologies 停产	制造商零件编号 IMW120R045M1 Mouser 零件编号未分配停产	Infineon Technologies	碳化硅MOSFET SIC DISCRETE	数据表	不可用		无库存，请致电询价
碳化硅MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R045M1XKSA1 Infineon Technologies 1: ¥155.6688 13库存量寿命结束	制造商零件编号 IMW120R045M1XKSA1 Mouser 零件编号 726-IMW120R045M1XKS1 寿命结束	Infineon Technologies	碳化硅MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	数据表	13库存量	¥155.6688 ¥90.2418 ¥90.0723	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	52 A	59 mOhms	- 10 V, + 20 V	3.5 V	52 nC	- 55 C	+ 175 C	228 W	Enhancement	CoolSiC

IMW120R045M1 碳化硅MOSFET

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