.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

IPA60R099C7 MOSFET

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名	封装
MOSFET HIGH POWER_NEW IPA60R099C7 Infineon Technologies	制造商零件编号 IPA60R099C7 Mouser 零件编号未分配	Infineon Technologies	MOSFET HIGH POWER_NEW	数据表	N/A		无库存，请致电询价	Si	Through Hole	TO-220FP-3														Tube
MOSFET HIGH POWER_NEW IPA60R099C7XKSA1 Infineon Technologies 1: ¥54.5112 365库存量	制造商零件编号 IPA60R099C7XKSA1 Mouser 零件编号 726-IPA60R099C7XKSA1	Infineon Technologies	MOSFET HIGH POWER_NEW 了解更多关于Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet 的信息	数据表	365库存量	¥54.5112 ¥28.8715 ¥26.4646 ¥23.165	最低： 1 倍数： 1	Si	Through Hole	TO-220FP-3	N-Channel	1 Channel	650 V	12 A	190 mOhms	20 V	3.5 V	42 nC	- 55 C	+ 150 C	33 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
MOSFET N-Ch 600V 31A I2PAK-3 CoolMOS CP IPI60R099CP Infineon Technologies 1: ¥67.7435 453库存量寿命结束	制造商零件编号 IPI60R099CP Mouser 零件编号 726-IPI60R099CP 寿命结束	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 600V 31A I2PAK-3 CoolMOS CP	数据表	453库存量	¥67.7435 ¥47.7312 ¥38.6234 ¥34.239 ¥30.6908	最低： 1 倍数： 1	Si	Through Hole	TO-262-3	N-Channel	1 Channel	600 V	31 A	99 mOhms	20 V	3 V	80 nC	- 55 C	+ 150 C	255 W	Enhancement	CoolMOS	Tube

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