.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

IPA60R099P7 MOSFET

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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	MOSFET HIGH POWER_NEW IPA60R099P7 Infineon Technologies	制造商零件编号 IPA60R099P7 Mouser 零件编号未分配	Infineon Technologies	MOSFET HIGH POWER_NEW	数据表	N/A		无库存，请致电询价			Si																Tube
	MOSFET HIGH POWER_NEW IPA60R099P7XKSA1 Infineon Technologies 1: ¥42.5106 794库存量	制造商零件编号 IPA60R099P7XKSA1 Mouser 零件编号 726-IPA60R099P7XKSA1	Infineon Technologies	MOSFET HIGH POWER_NEW 了解更多关于Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets 的信息	数据表	794库存量	¥42.5106 ¥22.0802 ¥20.1027 ¥16.5432	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	31 A	77 mOhms	20 V	3 V	45 nC	- 55 C	+ 150 C	29 W	Enhancement	CoolMOS	Tube

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