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晶体管
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IPA60R160P7 MOSFET
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封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
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Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
Through Hole
重置
TO-220-3
TO-220FP-3
重置
N-Channel
重置
1 Channel
重置
600 V
≤
≥
重置
23.8 A
≤
≥
重置
160 mOhms
374 mOhms
≤
≥
重置
20 V
≤
≥
重置
3 V
4 V
≤
≥
重置
44 nC
75 nC
≤
≥
重置
- 55 C
≤
≥
重置
+ 150 C
≤
≥
重置
26 W
34 W
≤
≥
重置
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重置
CoolMOS
重置
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封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
MOSFET HIGH POWER_NEW
IPA60R160P7
Infineon Technologies
制造商零件编号
IPA60R160P7
Mouser 零件编号
未分配
Infineon Technologies
MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
N/A
无库存,请致电询价
详细信息
Si
Tube
MOSFET HIGH POWER_NEW
IPA60R160P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
¥28.5325
297
库存量
制造商零件编号
IPA60R160P7XKSA1
Mouser 零件编号
726-IPA60R160P7XKSA1
Infineon Technologies
MOSFET HIGH POWER_NEW
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关于Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets
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数据表
297
库存量
1
¥28.5325
10
¥14.3058
100
¥12.9046
500
¥10.2604
1,000
查看
1,000
¥10.0118
2,500
¥9.8423
5,000
¥9.7632
25,000
报价
购买
最低:
1
倍数:
1
详细信息
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
23.8 A
374 mOhms
20 V
4 V
44 nC
- 55 C
+ 150 C
26 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
MOSFET N-Ch 600V 23.8A TO220FP-3 CoolMOS C6
IPA60R160C6
Infineon Technologies
1:
¥36.2278
5
库存量
寿命结束
制造商零件编号
IPA60R160C6
Mouser 零件编号
726-IPA60R160C6
寿命结束
Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 600V 23.8A TO220FP-3 CoolMOS C6
数据表
5
库存量
1
¥36.2278
10
¥18.6111
100
¥16.9613
500
¥15.5488
1,000
查看
1,000
¥15.4697
2,500
¥14.9725
5,000
¥14.6448
购买
最低:
1
倍数:
1
详细信息
Si
Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
1 Channel
600 V
23.8 A
160 mOhms
20 V
3 V
75 nC
- 55 C
+ 150 C
34 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
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