IPA60R600P7 MOSFET

结果: 6
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW N/A
Si Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 533库存量
¥19.2778
¥14.3058
¥9.3451
¥7.7179
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 490 mOhms 20 V 3 V 9 nC - 55 C + 150 C 21 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 967库存量
500预期 2026/12/31
¥13.899
¥6.5879
¥5.876
¥4.6104
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 490 mOhms 20 V 3 V 9 nC - 40 C + 150 C 21 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies IPA60R600P7SE8228XKSA1
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 无库存交货期 17 周
¥13.899
¥6.5992
¥5.876
¥4.6104
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 1 Channel 600 V 6 A 1.15 Ohms 20 V 3.5 V 9 nC - 55 C + 150 C 21 W Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 7.3A TO220-3 185库存量
¥26.3855
¥13.2323
¥11.9102
¥10.0909
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7.3 A 600 mOhms 20 V 3.9 V 21 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 7.3A TO220FP-3 CoolMOS C3 7库存量
¥26.555
¥17.289
¥14.1476
¥11.8311
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7.3 A 600 mOhms 20 V 2.1 V 21 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube