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RoHS

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IPA65R190C7 MOSFET

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结果: 4

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名	封装
	MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS IPA65R190C7 Infineon Technologies 1: ¥34.0017 453库存量	制造商零件编号 IPA65R190C7 Mouser 零件编号 726-IPA65R190C7	Infineon Technologies	MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS 了解更多关于Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet 的信息	数据表	453库存量	¥34.0017 ¥22.1706 ¥16.1251 ¥13.4809 查看 ¥12.5769 ¥11.7407	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	8 A	168 mOhms	20 V	3 V	23 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
	MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS IPA65R190C7XKSA1 Infineon Technologies 1: ¥30.6908 815库存量	制造商零件编号 IPA65R190C7XKSA1 Mouser 零件编号 726-IPA65R190C7XKSA1	Infineon Technologies	MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS 了解更多关于Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet 的信息	数据表	815库存量	¥30.6908 ¥16.8709 ¥15.3002 ¥12.4074 查看 ¥12.2379 ¥11.8311	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	8 A	168 mOhms	20 V	3 V	23 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
	MOSFET N-Ch 700V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS C6 IPA65R280C6 Infineon Technologies 1: ¥29.3687 1,314库存量寿命结束	制造商零件编号 IPA65R280C6 Mouser 零件编号 726-IPA65R280C6 寿命结束	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 700V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS C6	数据表	1,314库存量	¥29.3687 ¥19.1083 ¥13.4018 ¥11.1644 查看 ¥10.3395 ¥9.8423	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220FP-3	N-Channel	1 Channel	650 V	13.8 A	250 mOhms	20 V	2.5 V	45 nC	- 55 C	+ 150 C	32 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
	MOSFET HIGH POWER_NEW IPP65R190CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: ¥35.482 159库存量寿命结束	制造商零件编号 IPP65R190CFD7XKSA1 Mouser 零件编号 726-P65R190CFD7XKSA1 寿命结束	Infineon Technologies	MOSFET HIGH POWER_NEW	数据表	159库存量	¥35.482 ¥24.4871 ¥18.3625 ¥11.2548 查看 ¥11.0853 ¥10.6672	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	12 A	190 mOhms	20 V	4.5 V	23 nC	- 40 C	+ 150 C	63 W	Enhancement		Tube