IPA65R310CFD MOSFET

结果: 3
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_LEGACY 无库存交货期 15 周
¥27.798
¥14.2267
¥12.4865
¥10.17
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 1 Channel 650 V 11.4 A 730 mOhms 20 V 4 V 41 nC - 55 C + 150 C 104.2 W Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 11.4A TO220FP CoolMOS CFD2
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11.4 A 280 mOhms 20 V 3.5 V 41 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 700V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS C6 227库存量
¥22.9164
¥14.803
¥10.17
¥7.9326
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 10.6 A 380 mOhms 20 V 3.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 31 W Enhancement CoolMOS Tube