IPA80R900P7 MOSFET

结果: 4
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW N/A
Si Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 1,216库存量
¥18.7806
¥9.0965
¥8.136
¥6.215
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 770 mOhms 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3 387库存量
¥24.4871
¥12.4074
¥10.8367
¥8.6897
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 780 mOhms 20 V 2.1 V 41 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3 1,438库存量
¥23.8995
¥15.4697
¥10.5881
¥8.5202
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 780 mOhms 20 V 2.1 V 41 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement CoolMOS Tube