IPB019N08N3-G MOSFET

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
1,000预期 2026/11/16
剪切带
¥55.5847
¥36.3973
¥26.8036
¥24.2385
卷轴
¥21.3457
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 80 V 180 A 1.6 mOhms 20 V 2 V 206 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 1,183库存量
剪切带
¥51.2003
¥26.9618
¥21.3457
卷轴
¥21.3457
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 80 V 180 A 1.6 mOhms 20 V 2 V 206 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel