IPB026N06N MOSFET

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 60V 100A D2PAK-2 814库存量
剪切带
¥37.7985
¥24.8148
¥18.4416
¥15.4697
卷轴
¥14.3058
¥13.4809
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 2.3 mOhms 20 V 2.1 V 66 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 60V 100A D2PAK-2 1,517库存量
剪切带
¥36.6459
¥18.7806
¥17.0404
¥14.3962
卷轴
¥13.56
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 2.3 mOhms 20 V 2.1 V 66 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel