IPB038N12N3G MOSFET

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3 4,609库存量
剪切带
¥50.7031
¥38.1375
¥30.6908
¥27.3008
卷轴
¥24.3967
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 120 V 120 A 3.2 mOhms 20 V 2 V 211 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3 2,041库存量
剪切带
¥56.9859
¥35.0752
¥30.6908
¥27.3008
卷轴
¥24.3967
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 120 V 120 A 3.2 mOhms 20 V 2 V 211 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel