IPB180N06S4-H1 MOSFET

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 商标名 封装
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 6,591库存量
剪切带
¥43.4259
¥22.5774
¥20.5095
¥18.1139
卷轴
¥17.1195
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 60 V 180 A 1.7 mOhms 20 V 3 V 270 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
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Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 60 V 180 A 1.3 mOhms 20 V 2 V 270 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel