IPB200N15N3 G

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Mouser编号：

726-IPB200N15N3G

制造商编号：

IPB200N15N3 G

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET N-Ch 150V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

寿命周期:

停产

数据表:

IPB200N15N3 G 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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交货限制:

Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
交货限制:	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	D2PAK-3 (TO-263-3)
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	150 V
Id-连续漏极电流:	50 A
Rds On-漏源导通电阻:	20 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	31 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	150 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	OptiMOS
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	6 ns
正向跨导 - 最小值:	57 S, 29 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	11 ns
系列:	OptiMOS 3
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	23 ns
典型接通延迟时间:	14 ns
零件号别名:	IPB2N15N3GXT SP000414740 IPB200N15N3GATMA1
单位重量:	4 g

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数据表

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EOL

Product Catalogs

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 菲律宾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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