IPB35N10S3L-26 MOSFET

结果: 3
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
封装
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T
数据表
854库存量
剪切带
¥26.3064
¥17.0404
¥11.6616
¥9.8423
卷轴
¥8.2716
¥8.1925
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 35 A 20.3 mOhms 20 V 1.2 V 39 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T
数据表
1,128库存量
剪切带
¥25.7301
¥12.8255
¥11.4921
¥9.3451
卷轴
¥8.8479
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MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 35 A 20.3 mOhms 20 V 1.2 V 39 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies IPB35N10S3L26ATMA2
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V(
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数据表
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 100 V 35 A 26.3 mOhms 20 V 2.4 V 30 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel