IPB60R055CFD7 MOSFET

结果: 2
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
N/A
Si Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
61库存量
剪切带
¥74.6139
¥41.2789
¥37.968
¥37.3013
卷轴
¥33.335
最低： 1
倍数： 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 55 mOhms 20 V 4.5 V 79 nC - 55 C + 150 C 178 W Enhancement Reel, Cut Tape