IPB60R099C6 MOSFET

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 38A D2PAK-2 CoolMOS C6
971预期 2026/12/10
剪切带
¥58.4775
¥31.2671
¥28.6229
¥26.9618
卷轴
¥25.4815
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 37.9 A 99 mOhms 20 V 3.5 V 119 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET POWER MOSFET N-CH 600V 480库存量
剪切带
¥69.3142
¥37.6403
¥34.578
¥33.8322
卷轴
¥31.7643
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 165 mOhms 30 V 3 V 60 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel