IPB60R099C7 MOSFET

结果: 2
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
N/A
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
1,246库存量
剪切带
¥54.6807
¥29.0297
¥26.555
¥24.6453
卷轴
¥23.2441
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 99 mOhms 20 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel