IPB60R120P7 MOSFET

结果: 5
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW N/A
Si Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 4,974库存量
剪切带
¥36.6459
¥18.7806
¥16.9613
¥14.3962
卷轴
¥13.56
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 26 A 100 mOhms 20 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 95 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 21A D2PAK-2 CoolMOS CP 1,318库存量
剪切带
¥46.9854
¥30.7699
¥22.9955
¥19.2778
卷轴
¥17.7862
¥16.5432
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 150 mOhms 20 V 2.5 V 52 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 21A D2PAK-2 CoolMOS CP 526库存量
剪切带
¥45.4938
¥23.6622
¥21.5039
¥19.0292
¥18.532
最低: 1
倍数: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 150 mOhms 20 V 2.5 V 52 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 73库存量
剪切带
¥39.6178
¥20.5095
¥18.6111
¥15.0516
¥14.3962
¥14.0572
最低: 1
倍数: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 145 mOhms 20 V 4.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape