IPB60R180P7 MOSFET

结果: 5
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW N/A
Si Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 7,515库存量
剪切带
¥27.6285
¥13.8086
¥12.4865
¥10.0909
卷轴
¥9.266
¥9.1869
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 145 mOhms 20 V 3 V 25 nC - 55 C + 150 C 72 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 16A D2PAK-2 CoolMOS CP 791库存量
剪切带
¥40.115
¥26.3064
¥19.6055
¥16.4641
¥15.142
¥14.3962
最低: 1
倍数: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 180 mOhms 20 V 2.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 16A D2PAK-2 CoolMOS CP 1,957库存量
剪切带
¥38.2957
¥19.6846
¥17.8653
¥15.3906
卷轴
¥14.3962
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 180 mOhms 20 V 2.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 16库存量
剪切带
¥28.4534
¥18.532
¥12.7351
¥11.0853
¥9.3451
¥9.1869
最低: 1
倍数: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 210 mOhms 20 V 4.5 V 23 nC - 55 C + 150 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape