IPB65R110CFD MOSFET

结果: 5
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 商标名 封装
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2 1,448库存量
剪切带
¥59.0538
¥31.5157
¥28.8715
¥26.8827
卷轴
¥25.8092
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 31.2 A 99 mOhms 20 V 3.5 V 118 nC - 40 C + 150 C 277.8 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_LEGACY 无库存交货期 8 周
剪切带
¥58.9747
¥31.3462
¥28.702
¥25.2329
卷轴
¥23.8204
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 31.2 A 257 mOhms 20 V 4 V 118 nC - 55 C + 150 C 277.8 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2 无库存交货期 8 周
卷轴
¥25.4815
最低: 1,000
倍数: 1,000
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 31.2 A 99 mOhms 20 V 3.5 V 118 nC - 40 C + 150 C 277.8 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 700V 31.2A D2PAK-2 CoolMOS CFD2
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 31.2 A 99 mOhms 20 V 3.5 V 118 nC - 55 C + 150 C 277.8 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 219库存量
剪切带
¥44.4994
¥29.6964
¥21.2553
¥20.5999
¥20.0123
最低: 1
倍数: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 110 mOhms 20 V 4.5 V 41 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel