IPB65R190CFD MOSFET

结果: 5
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 商标名 封装
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS 797库存量
剪切带
¥37.7194
¥19.3569
¥17.6167
¥14.9725
卷轴
¥14.1476
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 14 A 190 mOhms 20 V 4.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 77 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 57.2A D2PAK-2 982库存量
剪切带
¥42.3524
¥27.798
¥20.679
¥18.0348
卷轴
¥15.2211
¥15.142
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 17.5 A 171 mOhms 20 V 3.5 V 68 nC - 40 C + 150 C 151 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 57.2A D2PAK-2 775库存量
剪切带
¥39.7873
¥20.5095
¥18.6111
¥16.1251
卷轴
¥15.142
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 17.5 A 171 mOhms 20 V 3.5 V 68 nC - 40 C + 150 C 151 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_LEGACY 无库存交货期 31 周
剪切带
¥34.4085
¥18.0348
¥16.3737
¥13.6504
卷轴
¥11.9893
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
Si SMD/SMT TO-263 N-Channel 1 Channel 650 V 17.5 A 445 mOhms 20 V 4 V 68 nC - 55 C + 150 C 151 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 17.5A D2PAK-2 CoolMOS CFD2
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 17.5 A 171 mOhms 20 V 3.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 151 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel