IPB80N06S2L-H5

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Mouser编号：

726-IPB80N06S2LH5

制造商编号：

IPB80N06S2L-H5

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET N-Ch 55V 80A D2PAK-2 OptiMOS

寿命周期:

停产

数据表:

IPB80N06S2L-H5 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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交货限制:

Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
交货限制:	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	D2PAK-3 (TO-263-3)
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	55 V
Id-连续漏极电流:	80 A
Rds On-漏源导通电阻:	5.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	300 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	22 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	23 ns
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	75 ns
典型接通延迟时间:	19 ns
零件号别名:	SP000219068 IPB80N06S2LH5ATMA1
单位重量:	4 g

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数据表

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EOL

Product / Process Change Notification (PDF)

Product Catalogs

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

Infineon OptiMOS™ 3

Infineon's OptiMOS™ 3 40V, 60V, and 80V families reduce power losses up to 30% in a given standard TO package. The low switching losses and on-state resistance of the devices enable an increase in power densities by up to 30% and a reduction in part count for a given application by more than 25%, compared to competitive solutions. The OptiMOS™ 3 devices offer best-in-class RDS(on), achieving an RDS(on) as low as 1.6mΩ for 40V products in SuperSO8™ packages, 3.5mΩ for 60V products in D-PAK packages, and 2.5mΩ for 80V products in D2-PAK packages. The MOSFETs are ideal for a variety of power conversion and management applications, including SMPSs, DC/DC converters, and DC motor drives.