IPC100N04S5-2R8 MOSFET

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
封装
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V)
数据表
N/A
Si Reel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V,40V)
数据表
163库存量
剪切带
¥14.8934
¥7.0738
¥6.3167
¥4.972
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卷轴
¥3.9098
最低： 1
倍数： 1
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.3 mOhms 20 V 2.2 V 45 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape