IPD038N06N3 G

Name: Infineon IPD038N06N3 G
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPD038N06N3G
Price: 18.37 RMB
Availability: InStock

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请参阅产品规格

Mouser编号：

726-IPD038N06N3G

制造商编号：

IPD038N06N3 G

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

寿命周期:

寿命结束:

将过时且制造商将停产。

数据表:

IPD038N06N3 G 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	90 A
Rds On-漏源导通电阻:	3.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	98 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	188 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	OptiMOS
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	5 ns
正向跨导 - 最小值:	60 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	70 ns
系列:	OptiMOS 3
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	40 ns
典型接通延迟时间:	30 ns
零件号别名:	IPD38N6N3GXT SP000397994 IPD038N06N3GATMA1
单位重量:	330 mg

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 马来西亚

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥20.7581	¥20.76
	¥13.4018	¥134.02
	¥9.0965	¥909.65
	¥7.2659	¥3,632.95
	¥6.6783	¥6,678.30
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥6.1924	¥15,481.00

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

IPD038N06N3 G

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说明： MOSFET N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

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