IPD650P06NMATMA1

Infineon Technologies
726-IPD650P06NMATMA1
IPD650P06NMATMA1

制造商：

说明：
MOSFET IFX FET > 60-80V

数据表:
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Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
60 V
22 A
65 mOhms
20 V
2.1 V
39 nC
- 55 C
+ 175 C
83 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 12 ns
正向跨导 - 最小值: 21 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 14 ns
系列: IPD06P003
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 33 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
零件号别名: IPD650P06NM SP004987256
单位重量: 330 mg
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合规代码
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
奥地利
组装原产国/地区:
马来西亚
发货时，国家/地区可能会发生变化。

12V-250V P沟道功率MOSFET

Infineon 12V-250V P沟道功率MOSFET为设计人员提供一个新选项，以便在优化性能的同时简化电路。P沟道器件的主要优点是降低了中低功耗应用中的设计复杂性。P沟道功率MOSFET非常适合用于电池保护、反极性保护、线性电池充电器、负载开关、直流-直流转换器和低压驱动应用。

库存量: 3,301

库存：
3,301 可立即发货
生产周期：
10 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥18.2834 ¥18.28
¥8.8479 ¥88.48
¥7.6162 ¥761.62
¥6.2828 ¥3,141.40
¥5.8534 ¥5,853.40
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
¥5.2658 ¥13,164.50

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