IPD30N08S2L-21 MOSFET

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
封装
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS
数据表
17,786库存量
剪切带
¥22.826
¥14.6448
¥10.0118
¥8.5202
卷轴
¥7.0738
查看
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 75 V 30 A 20.5 mOhms 20 V 1.2 V 56 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS
数据表
36,563库存量
剪切带
¥22.0802
¥10.5881
¥8.5993
¥7.4806
¥7.119
卷轴
¥6.8026
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 75 V 30 A 15.9 mOhms 20 V 1.2 V 72 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel