IPD30N12S3L-31 MOSFET

结果: 2
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
封装
Infineon / IR MOSFET MOSFET_(120V 300V)
数据表
N/A
Si Reel
Infineon Technologies MOSFET N-CHANNEL 100+
数据表
交货期 12 周
剪切带
¥16.046
¥7.6388
¥6.7122
¥5.4918
卷轴
¥4.1584
¥4.0567
最低： 1
倍数： 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 120 V 30 A 31 mOhms 20 V 1.7 V 31 nC - 55 C + 175 C 57 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape