IPD50N03S4L-06

Name: Infineon IPD50N03S4L-06
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPD50N03S4L-06
Price: 10.25 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

726-IPD50N03S4L-06

制造商编号：

IPD50N03S4L-06

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2

数据表:

IPD50N03S4L-06 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	50 A
Rds On-漏源导通电阻:	5.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.5 V
Qg-栅极电荷:	31 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	56 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q100
商标名:	OptiMOS
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	7 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	1 ns
系列:	OptiMOS-T2
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	19 ns
典型接通延迟时间:	3 ns
零件号别名:	SP000415580 IPD5N3S4L6XT IPD50N03S4L06ATMA1
单位重量:	330 mg

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 奥地利

发货时，国家/地区可能会发生变化。

20V至40V N通道汽车用MOSFET

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生产周期：: 12 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

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最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥11.5825	¥11.58
	¥5.4127	¥54.13
	¥4.8025	¥480.25
	¥3.7516	¥1,875.80
	¥3.6612	¥3,661.20
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥3.0284	¥7,571.00
	¥2.7911	¥13,955.50

IPD50N03S4L-06

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