IPD50N08S4-13 MOSFET

结果: 2
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
封装
Infineon Technologies MOSFET N-CHANNEL 75/80V
数据表
1,899库存量
剪切带
¥17.9444
¥11.3339
¥7.4241
¥5.876
卷轴
¥4.7686
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MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 80 V 50 A 11.2 mOhms 20 V 2 V 30 nC - 55 C + 175 C 72 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-CHANNEL 75/80V
数据表
5,958库存量
剪切带
¥16.2946
¥7.797
¥6.9721
¥5.5144
卷轴
¥4.7686
查看
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 80 V 50 A 11.2 mOhms 20 V 2 V 30 nC - 55 C + 175 C 72 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel