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IPD530N15N3GATMA1

Name: Infineon IPD530N15N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPD530N15N3GATMA
Price: 14.57 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

726-IPD530N15N3GATMA

制造商编号：

IPD530N15N3GATMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET IFX FET >100-150V

数据表:

IPD530N15N3GATMA1 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	150 V
Id-连续漏极电流:	21 A
Rds On-漏源导通电阻:	44 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	12 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	68 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	OptiMOS
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	3 ns
正向跨导 - 最小值:	11 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	9 ns
系列:	OptiMOS 3
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	13 ns
典型接通延迟时间:	9 ns
零件号别名:	IPD530N15N3 G SP001127830
单位重量:	330 mg

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已选择的属性: 0

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数据表

IPD530N15N3GATMA1 数据表 (PDF)

Models

Product Catalogs

SPICE Models

Simulation Model OptiMOS™ Power MOSFET PSpice 150V N-Channel (邮政)

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 德国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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在途量:: 7,497

预期 2027/2/11
生产周期：: 43

周大于所示数量的预计工厂生产时间。

本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥16.4641	¥16.46
	¥8.0908	¥80.91
	¥7.2433	¥724.33
	¥5.7291	¥2,864.55
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥4.7347	¥11,836.75

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

IPD530N15N3GATMA1

制造商： Infineon Technologies

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