IPD60N10S4L-12 MOSFET

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 封装
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 100V 60A DPAK-2
2,475在途量
剪切带
¥18.6111
¥11.8311
¥7.9552
¥6.4523
¥6.0342
卷轴
¥5.1302
最低: 1
倍数: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 9.8 mOhms 16 V 1.1 V 49 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 100V 60A DPAK-2
9,834在途量
剪切带
¥18.8597
¥9.266
¥7.9552
¥6.554
¥6.1246
卷轴
¥5.198
最低: 1
倍数: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 9.8 mOhms 16 V 1.1 V 49 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel