IPD60R2K1CE MOSFET

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
数据表
N/A
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) 600 V Reel
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
数据表
126库存量
剪切带
¥7.9439
¥3.616
¥3.1979
¥2.4521
卷轴
¥1.9323
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最低： 1
倍数： 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 3.7 A 2.1 Ohms 20 V 3 V 6.7 nC - 40 C + 150 C 38 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel