IPD60R380P6 MOSFET

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 10.6A DPAK-2 1,040库存量
2,500预期 2027/2/11
剪切带
¥17.9444
¥11.3339
¥7.684
¥6.2263
卷轴
¥5.2206
最低: 1
倍数: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 10.6 A 380 mOhms 20 V 3.5 V 19 nC - 55 C + 150 C 31 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 10.6A DPAK-2
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 10.6 A 342 mOhms 20 V 3.5 V 19 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape