IPD70P04P4-09 MOSFET

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
封装
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V)
数据表
1,944库存量
剪切带
¥16.5432
¥7.9213
¥7.0851
¥5.6048
卷轴
¥4.6104
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最低： 1
倍数： 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 73 A 6.4 mOhms 20 V 3 V 54 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET P-Ch -40V -73A DPAK-2 OptiMOS-P2
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数据表
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 73 A 8.9 mOhms 20 V 4 V 54 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel