IPD900P06NM MOSFET

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
数据表
N/A
Si Reel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
数据表
2,170库存量
剪切带
¥12.5769
¥5.9099
¥5.2545
¥4.1132
卷轴
¥3.3448
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最低： 1
倍数： 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 16.4 A 90 mOhms 20 V 2.1 V 27 nC - 55 C + 175 C 63 W Enhancement Reel, Cut Tape