IPD90N04S4L-04 MOSFET

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
封装
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
数据表
4,124库存量
剪切带
¥16.9613
¥10.509
¥6.8817
¥5.4127
卷轴
¥4.181
查看
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 90 A 3.2 mOhms 20 V 1.2 V 60 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
数据表
4,470库存量
剪切带
¥13.6504
¥6.4636
¥5.763
¥4.52
卷轴
¥3.5256
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 90 A 3.2 mOhms 20 V 1.2 V 60 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel