IPDD60R050G7 MOSFET

结果: 3
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
Infineon Technologies IPDD60R050G7
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW N/A
Si Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
1,700预期 2027/6/24
剪切带
¥90.4113
¥50.2963
¥47.8894
¥45.3243
卷轴
¥45.3243
最低: 1
倍数: 1
: 1,700
Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 47 A 50 mOhms 20 V 3 V 68 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 1,237库存量
剪切带
¥68.4102
¥45.7424
¥36.8041
¥32.7587
¥29.2783
¥29.2783
最低: 1
倍数: 1
Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 52 A 55 mOhms 20 V 4.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 329 W Enhancement Reel, Cut Tape