IPDD60R190G7 MOSFET

结果: 2
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
Infineon Technologies IPDD60R190G7
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
N/A
Si Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
3,400预期 2026/12/10
剪切带
¥31.0976
¥15.7183
¥14.2267
¥11.5825
¥10.8367
卷轴
¥10.8367
最低： 1
倍数： 1
: 1,700
Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 190 mOhms 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement Reel, Cut Tape