IPG20N04S4-18A MOSFET

结果: 2
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V)
数据表
N/A
Si TDSON-8 Reel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V)
数据表
1,470库存量
5,000预期 2027/6/3
剪切带
¥16.7127
¥10.3395
¥6.7913
¥5.3336
卷轴
¥3.5934
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最低： 1
倍数： 1
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 18 mOhms 20 V 3 V 8.7 nC - 55 C + 175 C 26 W Enhancement Reel, Cut Tape