IPG20N06S2L-35 MOSFET

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 商标名 封装
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS
10,000预期 2026/11/16
剪切带
¥18.3625
¥8.9383
¥7.9439
¥6.3167
卷轴
¥5.2884
最低: 1
倍数: 1
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 55 V 20 A 35 mOhms 20 V 1.6 V 23 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET
10,000预期 2027/4/29
剪切带
¥18.7806
¥10.6672
¥8.136
¥6.4749
¥6.3393
卷轴
¥5.2997
最低: 1
倍数: 1
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 55 V 20 A 35 mOhms 20 V 1.6 V 23 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel